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C2M0025120D
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
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FabricantWOLFSPEED
Réf. FabricantC2M0025120DCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant101 semaines
Code Commande54X4873
Votre numéro de pièce
106 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 147,660 $ |
| 5+ | 144,700 $ |
| 10+ | 141,750 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
147,66 $
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Informations produit
FabricantWOLFSPEED
Réf. FabricantC2M0025120DCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant101 semaines
Code Commande54X4873
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Power Dissipation Pd463W
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation463W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
The C2M0025120D from Cree is a 2nd generation Z-FET, through hole N channel silicon carbide power MOSFET in TO-247 package. This MOSFET features C2M SiC MOSFET technology, high blocking voltage with low on resistance, high speed switching with low capacitances, easy to parallel and simple to drive, avalanche ruggedness, resistant to latch up, higher system efficiency, reduced cooling requirements and increased power density. Applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC-DC converters and battery chargers.
- Drain to source voltage (Vds) of 1.2kV
- Continuous drain current of 90A
- Power dissipation of 463W
- Operating junction temperature of -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 25mohm at Vgs of 20V
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
No. of Pins
3Pins
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
463W
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
90A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
463W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Operating Temperature Max
150°C
MSL
-
Documents techniques (2)
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2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit