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SI1012CR-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1012CR-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant38 semaines
Code Commande
Bobine complète96AJ0096
Mise en bobine64T4048RL
Bandes découpées64T4048
Votre numéro de pièce
2 En Stock
2 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,744 $ | 3,72 $ |
| Total Prix | 3,72 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,744 $ |
| 50+ | 0,474 $ |
| 100+ | 0,317 $ |
| 250+ | 0,284 $ |
| 500+ | 0,250 $ |
| 1000+ | 0,227 $ |
| 2500+ | 0,214 $ |
| 5000+ | 0,200 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,150 $ |
| 9000+ | 0,129 $ |
| 15000+ | 0,126 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1012CR-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant38 semaines
Code Commande
Bobine complète96AJ0096
Mise en bobine64T4048RL
Bandes découpées64T4048
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id630mA
Drain Source On State Resistance0.396ohm
On Resistance Rds(on)0.33ohm
Transistor Case StyleSC-75A
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd240mW
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation240mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SI1012CR-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- 1.2V Rated voltage
- 100% Rg tested
- 1000V Gate-source ESD protected
- Halogen-free
Applications
Industrial, Power Management, Portable Devices
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.396ohm
Transistor Case Style
SC-75A
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
630mA
On Resistance Rds(on)
0.33ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
240mW
Power Dissipation
240mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour SI1012CR-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit