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BSM120D12P2C005
MODULE, POWER, SIC, 1200V, 120A
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FabricantROHM
Réf. FabricantBSM120D12P2C005Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant32 semaines
Code Commande05X9537
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 32 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 537,200 $ |
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Minimum: 1
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537,20 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantBSM120D12P2C005Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant32 semaines
Code Commande05X9537
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
On Resistance Rds(on)-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins10Pins
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation Pd780W
Power Dissipation780W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
The BSM120D12P2C005 is a N-channel SiC Power Module designed for use with inverter, converter, photovoltaic, wind power generation and induction heating equipment applications. The device offers low surge, low switching loss and high-speed switching possible, reduced temperature dependence.
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
-
No. of Pins
10Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation
780W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation Pd
780W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit