Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMDPB56XNEAXCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine74AH1121RL
Bandes découpées74AH1121
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 54 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,690 $ | 8,45 $ |
| Total Prix | 8,45 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,690 $ |
| 10+ | 1,050 $ |
| 25+ | 0,921 $ |
| 50+ | 0,794 $ |
| 100+ | 0,670 $ |
| 250+ | 0,590 $ |
| 500+ | 0,509 $ |
| 1000+ | 0,458 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMDPB56XNEAXCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine74AH1121RL
Bandes découpées74AH1121
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.1A
Continuous Drain Current Id P Channel3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.072ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleDFN2020D
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel485mW
Power Dissipation P Channel485mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
485mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
3.1A
Continuous Drain Current Id N Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.072ohm
Transistor Case Style
DFN2020D
Power Dissipation N Channel
485mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
