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PMV28XPEAR
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5 A, 33 mohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV28XPEARCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5974
Mise en bobine82AH4931RL
Bandes découpées82AH4931
Votre numéro de pièce
136 En Stock
136 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,280 $ | 1,28 $ |
| Total Prix | 1,28 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,280 $ |
| 50+ | 0,787 $ |
| 100+ | 0,500 $ |
| 250+ | 0,437 $ |
| 500+ | 0,375 $ |
| 1000+ | 0,335 $ |
| 2500+ | 0,328 $ |
| 5000+ | 0,322 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,268 $ |
| 6000+ | 0,254 $ |
| 12000+ | 0,241 $ |
| 18000+ | 0,226 $ |
| 30000+ | 0,208 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV28XPEARCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5974
Mise en bobine82AH4931RL
Bandes découpées82AH4931
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance33mohm
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage8V
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Power Dissipation610mW
Power Dissipation Pd610mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
PMV28XPEAR is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, high-side load switch, and switching circuits.
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1kV HBM (class H1C)
- AEC-Q101 qualified
- Drain-source voltage is -20V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 12V maximum
- Drain current is -5A max at VGS = -4.5V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is -20A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 610mW max at Tamb = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 175°C
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
33mohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
8V
Power Dissipation
610mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
5A
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
Power Dissipation Pd
610mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit