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PMV65XP,215
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.3 A, 0.074 ohm, TO-236AB, Surface Mount
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV65XP,215Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète97W2519
Mise en bobine34R4595RL
Bandes découpées34R4595
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,805 $ | 4,03 $ |
| Total Prix | 4,03 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,805 $ |
| 50+ | 0,506 $ |
| 100+ | 0,328 $ |
| 250+ | 0,288 $ |
| 500+ | 0,247 $ |
| 1000+ | 0,223 $ |
| 2500+ | 0,219 $ |
| 5000+ | 0,214 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,162 $ |
| 6000+ | 0,153 $ |
| 12000+ | 0,144 $ |
| 18000+ | 0,134 $ |
| 30000+ | 0,123 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV65XP,215Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète97W2519
Mise en bobine34R4595RL
Bandes découpées34R4595
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.3A
On Resistance Rds(on)0.058ohm
Drain Source On State Resistance0.074ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd833mW
Gate Source Threshold Voltage Max750mV
Power Dissipation833mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The PMV65XP,215 is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Low Threshold Voltage
- Low On-state Resistance
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.058ohm
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
750mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
Drain Source On State Resistance
0.074ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
833mW
Power Dissipation
833mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour PMV65XP,215
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit