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PSMN1R1-30YLEX
MOSFET, N-CH, 30V, 265A, SOT-669
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN1R1-30YLEXCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant30 semaines
Code Commande
Mise en bobine61AK9906RL
Bandes découpées61AK9906
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 30 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,430 $ | 4,43 $ |
| Total Prix | 4,43 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,430 $ |
| 50+ | 2,430 $ |
| 100+ | 2,240 $ |
| 250+ | 2,070 $ |
| 500+ | 1,900 $ |
| 1000+ | 1,860 $ |
| 2500+ | 1,830 $ |
| 5000+ | 1,790 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN1R1-30YLEXCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant30 semaines
Code Commande
Mise en bobine61AK9906RL
Bandes découpées61AK9906
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id265A
Drain Source On State Resistance1010µohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation192W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
265A
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
192W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1010µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit