Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMA291PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines
Code Commande20M1167
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 47 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,372 $ |
| 9000+ | 0,365 $ |
| 15000+ | 0,357 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 116,00 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMA291PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines
Code Commande20M1167
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6.6A
On Resistance Rds(on)0.036ohm
Drain Source On State Resistance42mohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd2.4W
Transistor Case StyleMicroFET
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation2.4W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDMA291P is a 1.8V specified single P-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low ON-state resistance. The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
- Halogen-free
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.036ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.4W
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
Drain Source On State Resistance
42mohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
MicroFET
Power Dissipation
2.4W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDMA291P
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
