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FDN340P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 70 mohm, SuperSOT, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN340PCopie
Code Commande
Bobine complète87X5241
Mise en bobine58K8841
Bandes découpées58K8841
Votre numéro de pièce
189 512 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,119 $ | 0,12 $ |
| Total Prix | 0,12 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,119 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,185 $ |
| 6000+ | 0,177 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN340PCopie
Code Commande
Bobine complète87X5241
Mise en bobine58K8841
Bandes découpées58K8841
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Drain Source On State Resistance70mohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd500mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Transistor Case StyleSuperSOT
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDN340P is -20V single P channel 2.5V specified powerTrench MOSFET in SOT-23 package. This MOSFET is produced using PowerTrench process to minimize on state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Applicable at portable electronics, load switching, power management, battery charging circuits and DC to DC conversion.
- High performance trench technology for extremely low Rds(on)
- Low gate charge typically 7.2 nC
- Drain to source voltage (Vds) of -20V
- Gate to source voltage of ±8V
- Continuous drain current of -2A
- Power dissipation Pd of 500mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
- On resistance Rds(on) of 82mohm at Vgs -2.5V
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SuperSOT
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Drain Source On State Resistance
70mohm
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDN340P
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit