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FDN340P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 70 mohm, SuperSOT, Surface Mount
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| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | FDN340PCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 30 semaines |
| Code Commande | Bobine complète67R2061 Mise en bobine58K8841RL Bandes découpées58K8841 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
17 912 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,945 $ | 0,94 $ |
| Total Prix | 0,94 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,945 $ |
| 50+ | 0,423 $ |
| 100+ | 0,371 $ |
| 250+ | 0,342 $ |
| 500+ | 0,259 $ |
| 1000+ | 0,253 $ |
| 2500+ | 0,249 $ |
| 5000+ | 0,243 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,230 $ |
| 6000+ | 0,217 $ |
| 9000+ | 0,189 $ |
| 15000+ | 0,169 $ |
| 30000+ | 0,155 $ |
| 75000+ | 0,141 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | FDN340PCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 30 semaines |
| Code Commande | Bobine complète67R2061 Mise en bobine58K8841RL Bandes découpées58K8841 |
| Fiche technique | |
| Channel Type | P Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 20V |
| Continuous Drain Current Id | 2A |
| Drain Source On State Resistance | 70mohm |
| On Resistance Rds(on) | 0.06ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Power Dissipation Pd | 500mW |
| Rds(on) Test Voltage | 4.5V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 800mV |
| Transistor Case Style | SuperSOT |
| Power Dissipation | 500mW |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The FDN340P is -20V single P channel 2.5V specified powerTrench MOSFET in SOT-23 package. This MOSFET is produced using PowerTrench process to minimize on state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Applicable at portable electronics, load switching, power management, battery charging circuits and DC to DC conversion.
- High performance trench technology for extremely low Rds(on)
- Low gate charge typically 7.2 nC
- Drain to source voltage (Vds) of -20V
- Gate to source voltage of ±8V
- Continuous drain current of -2A
- Power dissipation Pd of 500mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
- On resistance Rds(on) of 82mohm at Vgs -2.5V
Spécifications techniques
| Channel Type | P Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 20V |
| Drain Source On State Resistance | 70mohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 4.5V |
| Transistor Case Style | SuperSOT |
| No. of Pins | 3Pins |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Transistor Polarity | P Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 2A |
| On Resistance Rds(on) | 0.06ohm |
| Power Dissipation Pd | 500mW |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 800mV |
| Power Dissipation | 500mW |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDN340P
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |