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MMBF0201NLT1G
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,491 $ |
| 10+ | 0,352 $ |
| 25+ | 0,302 $ |
| 50+ | 0,253 $ |
| 100+ | 0,203 $ |
| 250+ | 0,181 $ |
| 500+ | 0,159 $ |
| 1000+ | 0,144 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBF0201NLT1G
Code Commande81Y6804
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id300mA
On Resistance Rds(on)0.75ohm
Drain Source On State Resistance1ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd225mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produits de remplacement pour MMBF0201NLT1G
2 produit(s) trouvé(s)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.75ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
225mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300mA
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit