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NTBG028N170M1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG028N170M1
Code Commande57AK6404
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG028N170M1
Code Commande57AK6404
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id71A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation428W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
71A
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
428W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NTBG028N170M1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits