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NTGS3443T1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 0.065 ohm, TSOP, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTGS3443T1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète18AC0076
Mise en bobine47T5420RL
Bandes découpées47T5420
Votre numéro de pièce
920 En Stock
920 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,000 $ | 1,00 $ |
| Total Prix | 1,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,000 $ |
| 50+ | 0,456 $ |
| 100+ | 0,402 $ |
| 250+ | 0,354 $ |
| 500+ | 0,307 $ |
| 1000+ | 0,302 $ |
| 2500+ | 0,295 $ |
| 5000+ | 0,289 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,364 $ |
| 6000+ | 0,356 $ |
| 9000+ | 0,349 $ |
| 15000+ | 0,342 $ |
| 30000+ | 0,335 $ |
| 75000+ | 0,327 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTGS3443T1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète18AC0076
Mise en bobine47T5420RL
Bandes découpées47T5420
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
On Resistance Rds(on)0.058ohm
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Power Dissipation2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NTGS3443T1G is a P-channel Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -2.2A continuous drain current. It is suitable for power management in portable and battery-powered products, cellular and cordless telephones and PCMCIA cards.
- Ultra-low RDS (ON)
- Higher efficiency extending battery life
- Miniature surface-mount package
- -55 to 150°C Operating temperature range
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.058ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation Pd
2W
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit