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NTHL015N065SC1
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 163A, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHL015N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande47AK6824
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
225 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 44,730 $ |
| 10+ | 42,980 $ |
| 25+ | 41,050 $ |
| 50+ | 39,310 $ |
| 100+ | 34,090 $ |
| 500+ | 33,890 $ |
| 1000+ | 33,700 $ |
| 2500+ | 33,310 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
44,73 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHL015N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande47AK6824
Gamme de produitEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id163A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.012ohm
Drain Source On State Resistance0.012ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.63V
Power Dissipation Pd643W
Power Dissipation643W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.63V
Power Dissipation
643W
Product Range
EliteSiC Series
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
163A
On Resistance Rds(on)
0.012ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
643W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour NTHL015N065SC1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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