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NTMD6N02R2G
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6.5 A, 35 mohm, SOIC, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 0,686 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
1 715,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMD6N02R2G
Code Commande70K4028
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6.5A
Drain Source On State Resistance35mohm
On Resistance Rds(on)0.035ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage12V
Power Dissipation Pd2W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
35mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2W
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.5A
On Resistance Rds(on)
0.035ohm
Rds(on) Test Voltage
12V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit