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NTMT045N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 55 A, 650 V, 0.05 ohm, TDFN
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMT045N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine57AK6421RL
Bandes découpées57AK6421
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
342 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 17,540 $ | 17,54 $ |
| Total Prix | 17,54 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 17,540 $ |
| 50+ | 12,690 $ |
| 100+ | 10,540 $ |
| 250+ | 10,320 $ |
| 500+ | 10,110 $ |
| 1000+ | 9,900 $ |
| 2500+ | 9,700 $ |
| 5000+ | 9,500 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMT045N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine57AK6421RL
Bandes découpées57AK6421
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleTDFN
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation187W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
55A
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TDFN
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
187W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NTMT045N065SC1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit