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NTMT045N065SC1
MOSFET, SIC, 650V, 39A, TDFN
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMT045N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine65AK6019RL
Bandes découpées65AK6019
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
1 134 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 18,660 $ | 93,30 $ |
| Total Prix | 93,30 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 18,660 $ |
| 50+ | 13,010 $ |
| 100+ | 10,540 $ |
| 250+ | 10,320 $ |
| 500+ | 10,110 $ |
| 1000+ | 9,900 $ |
| 2500+ | 9,700 $ |
| 5000+ | 9,490 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMT045N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine65AK6019RL
Bandes découpées65AK6019
Gamme de produitEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTDFN
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation187W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
39A
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TDFN
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
187W
Product Range
EliteSiC Series
Produits de remplacement pour NTMT045N065SC1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit