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NVH4L040N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L040N120SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande74AH4860
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
860 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 39,110 $ |
| 5+ | 37,530 $ |
| 10+ | 35,950 $ |
| 25+ | 35,230 $ |
| 50+ | 34,520 $ |
| 100+ | 33,800 $ |
| 250+ | 33,070 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
39,11 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L040N120SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande74AH4860
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.04ohm
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd319W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation319W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
No. of Pins
4Pins
Power Dissipation Pd
319W
Power Dissipation
319W
Product Range
EliteSiC Series
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
58A
On Resistance Rds(on)
0.04ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit