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NXH006P120MNF2PTG
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Module
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 272,500 $ |
| 5+ | 269,500 $ |
| 10+ | 266,480 $ |
| 25+ | 251,550 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH006P120MNF2PTG
Code Commande50AJ5927
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id304A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.00548ohm
Drain Source On State Resistance5480µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins36Pins
Power Dissipation Pd950W
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.83V
Power Dissipation950W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
5480µohm
No. of Pins
36Pins
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
950W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
304A
On Resistance Rds(on)
0.00548ohm
Transistor Case Style
Module
Power Dissipation Pd
950W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.83V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NXH006P120MNF2PTG
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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