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NXH010P90MNF1PTG
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH010P90MNF1PTG
Code Commande32AK9489
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Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 220,350 $ |
| 5+ | 207,710 $ |
| 10+ | 195,090 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH010P90MNF1PTG
Code Commande32AK9489
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id154A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.01003ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins18Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.74V
Power Dissipation328W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
154A
Drain Source On State Resistance
0.01003ohm
No. of Pins
18Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.74V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
328W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NXH010P90MNF1PTG
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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