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UF3SC120009K4S
SILICON CARBIDE MOSFET, SINGLE
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3SC120009K4SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande47AK1765
Votre numéro de pièce
578 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 85,040 $ |
| 5+ | 81,330 $ |
| 10+ | 77,640 $ |
| 25+ | 73,920 $ |
| 50+ | 70,160 $ |
| 100+ | 66,380 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
85,04 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3SC120009K4SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande47AK1765
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.0086ohm
Drain Source On State Resistance8.6mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max4.7V
Power Dissipation Pd789W
Power Dissipation789W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
8.6mohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.7V
Power Dissipation
789W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
On Resistance Rds(on)
0.0086ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation Pd
789W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit