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SEMIX 653GD176HDC
IGBT Module, Dual, 660 A, 2.45 V, 150 °C, SEMiX 33c
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3 914,860 $ |
| 5+ | 3 860,100 $ |
| 10+ | 3 805,350 $ |
| 25+ | 3 586,340 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 2
Multiple: 2
7 829,72 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSEMIX 653GD176HDC
Code Commande09J5173
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationDual
DC Collector Current660A
Continuous Collector Current660A
Collector Emitter Saturation Voltage2.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.45V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Transistor Case StyleSEMiX 33c
No. of Pins29Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
DC Collector Current
660A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.45V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
No. of Pins
29Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT Configuration
Dual
Continuous Collector Current
660A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.45V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
SEMiX 33c
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench]
Product Range
-
Documents techniques (3)
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit