Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW70N60M2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande98Y2508
Gamme de produitMDmesh M2 Series
Votre numéro de pièce
2 861 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 19,390 $ |
| 10+ | 17,070 $ |
| 25+ | 14,740 $ |
| 50+ | 12,420 $ |
| 100+ | 11,730 $ |
| 250+ | 11,160 $ |
| 500+ | 10,930 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
19,39 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW70N60M2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande98Y2508
Gamme de produitMDmesh M2 Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id68A
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd450W
Power Dissipation450W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2 Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- 600V, 68A N-channel MDmesh™ M2 power MOSFET in 3 pin TO-247 package
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (Coss) profile
- 100% avalanche tested
- Zener protected
- Suitable for switching applications
- Exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics
- Suitable for the most demanding high efficiency converters
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
450W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2 Series
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
68A
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
450W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
