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SSM3J112TU,LF(T
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J112TU,LF(T
Code Commande01AM0603
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,394 $ |
| 10+ | 0,303 $ |
| 25+ | 0,252 $ |
| 50+ | 0,212 $ |
| 100+ | 0,178 $ |
| 250+ | 0,152 $ |
| 500+ | 0,124 $ |
| 1000+ | 0,105 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
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Multiple: 1
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J112TU,LF(T
Code Commande01AM0603
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance0.39ohm
Transistor Case StyleSOT-323F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
Transistor Case Style
SOT-323F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.39ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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