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SSM3J35CTC,L3F(T
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J35CTC,L3F(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande08AK7431
Votre numéro de pièce
3 860 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,398 $ |
| 10+ | 0,306 $ |
| 25+ | 0,209 $ |
| 50+ | 0,174 $ |
| 100+ | 0,145 $ |
| 250+ | 0,116 $ |
| 500+ | 0,098 $ |
| 1000+ | 0,081 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,40 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J35CTC,L3F(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande08AK7431
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id250mA
On Resistance Rds(on)1.1ohm
Drain Source On State Resistance1.1ohm
Transistor Case StyleCST
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation500mW
Power Dissipation Pd500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
1.1ohm
Transistor Case Style
CST
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
250mA
Drain Source On State Resistance
1.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit