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SI1062X-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1062X-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine70AC6486
Bandes découpées70AC6486
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,301 $ | 0,30 $ |
| Total Prix | 0,30 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,301 $ |
| 25+ | 0,198 $ |
| 50+ | 0,152 $ |
| 100+ | 0,106 $ |
| 250+ | 0,103 $ |
| 500+ | 0,100 $ |
| 1000+ | 0,098 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1062X-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine70AC6486
Bandes découpées70AC6486
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id530mA
On Resistance Rds(on)0.35ohm
Drain Source On State Resistance0.42ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd220mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleSC-89
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation220mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.35ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
530mA
Drain Source On State Resistance
0.42ohm
Power Dissipation Pd
220mW
Transistor Case Style
SC-89
Power Dissipation
220mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI1062X-T1-GE3
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit