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SI2365EDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.9 A, 0.032 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2365EDS-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète05AC9484
Mise en bobine70AC6497RL
Bandes découpées70AC6497
Votre numéro de pièce
1 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,794 $ | 0,79 $ |
| Total Prix | 0,79 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,794 $ |
| 50+ | 0,559 $ |
| 100+ | 0,358 $ |
| 250+ | 0,301 $ |
| 500+ | 0,243 $ |
| 1000+ | 0,195 $ |
| 2500+ | 0,170 $ |
| 5000+ | 0,145 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,151 $ |
| 9000+ | 0,130 $ |
| 15000+ | 0,123 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2365EDS-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète05AC9484
Mise en bobine70AC6497RL
Bandes découpées70AC6497
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.9A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
On Resistance Rds(on)0.0265ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.7W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- Suitable for power management applications for portable and consumer i.e load switches and DC/DC converters
- TrenchFET® Power MOSFET
- 100% Rg Tested
- Built-in ESD Protection - Typical ESD Performance 3000V
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.9A
On Resistance Rds(on)
0.0265ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2365EDS-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit