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2 538 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,943 $ |
10+ | 0,652 $ |
25+ | 0,591 $ |
50+ | 0,529 $ |
100+ | 0,467 $ |
250+ | 0,427 $ |
500+ | 0,385 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,72 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2367DS-T1-GE3
Code Commande57AJ0431
Gamme de produitTrench
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.8A
On Resistance Rds(on)0.066ohm
Drain Source On State Resistance0.066ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation960mW
Power Dissipation Pd960mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.066ohm
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
960mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
Trench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
Drain Source On State Resistance
0.066ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Power Dissipation Pd
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2367DS-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits