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SI7106DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 19.5 A, 0.0062 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 50+ | 1,960 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
5 880,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7106DN-T1-GE3
Code Commande12R3254
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id19.5A
On Resistance Rds(on)0.0062ohm
Drain Source On State Resistance0.0062ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.8W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Power Dissipation3.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19.5A
Drain Source On State Resistance
0.0062ohm
Power Dissipation Pd
3.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
Power Dissipation
3.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit