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SI7615ADN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 35 A, 0.0044 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7615ADN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6326
Bobine complète99W9632
Mise en bobine09X6451RL
Bandes découpées09X6451
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
6 884 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,960 $ | 1,96 $ |
| Total Prix | 1,96 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,960 $ |
| 50+ | 1,290 $ |
| 100+ | 0,896 $ |
| 250+ | 0,812 $ |
| 500+ | 0,728 $ |
| 1000+ | 0,675 $ |
| 2500+ | 0,640 $ |
| 5000+ | 0,605 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,619 $ |
| 5000+ | 0,608 $ |
| 9000+ | 0,428 $ |
| 10000+ | 0,572 $ |
| 15000+ | 0,420 $ |
| 20000+ | 0,541 $ |
| 30000+ | 0,515 $ |
| 50000+ | 0,498 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7615ADN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6326
Bobine complète99W9632
Mise en bobine09X6451RL
Bandes découpées09X6451
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.0044ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead
Aperçu du produit
The SI7615ADN-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, adaptor switch and battery switch applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0044ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7615ADN-T1-GE3
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit