Imprimer la page
SIB433EDK-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 9 A, 58 mohm, PowerPAK, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIB433EDK-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3792
Bandes découpées69W7159
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 37 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 0,442 $ | 1 326,00 $ |
| Total Prix | 1 326,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,442 $ |
| 6000+ | 0,434 $ |
| 9000+ | 0,424 $ |
| 15000+ | 0,416 $ |
| 30000+ | 0,407 $ |
| 75000+ | 0,398 $ |
| 150000+ | 0,389 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,280 $ |
| 6000+ | 0,274 $ |
| 9000+ | 0,253 $ |
| 15000+ | 0,236 $ |
| 30000+ | 0,220 $ |
| 75000+ | 0,210 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIB433EDK-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3792
Bandes découpées69W7159
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance58mohm
On Resistance Rds(on)0.085ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage1.8V
Power Dissipation Pd13W
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Transistor Case StylePowerPAK
Power Dissipation13W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
58mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
13W
Transistor Case Style
PowerPAK
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
9A
On Resistance Rds(on)
0.085ohm
Rds(on) Test Voltage
1.8V
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Power Dissipation
13W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (10-Jun-2022)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit