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SIR800ADP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 177A, 20V, POWERPAK SO
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR800ADP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande99AC9576
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
8 036 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,050 $ |
| 10+ | 2,770 $ |
| 100+ | 2,030 $ |
| 500+ | 1,710 $ |
| 1000+ | 1,610 $ |
| 2500+ | 1,580 $ |
| 5000+ | 1,540 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,05 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR800ADP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande99AC9576
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id177A
Drain Source On State Resistance1350µohm
On Resistance Rds(on)0.00112ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd62.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
1350µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
62.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
177A
On Resistance Rds(on)
0.00112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit