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SISS61DN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -20V, -111.9A, 150DEG C
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS61DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant49 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6254
Mise en bobine02AH2522RL
Bandes découpées02AH2522
Gamme de produitTrenchFET Gen III
Votre numéro de pièce
5 790 En Stock
5 790 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 2,960 $ | 14,80 $ |
| Total Prix | 14,80 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 2,960 $ |
| 10+ | 1,950 $ |
| 15+ | 1,790 $ |
| 25+ | 1,650 $ |
| 50+ | 1,500 $ |
| 125+ | 1,360 $ |
| 250+ | 1,330 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,914 $ |
| 6000+ | 0,879 $ |
| 9000+ | 0,843 $ |
| 15000+ | 0,826 $ |
| 30000+ | 0,809 $ |
| 75000+ | 0,792 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS61DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant49 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6254
Mise en bobine02AH2522RL
Bandes découpées02AH2522
Gamme de produitTrenchFET Gen III
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id111.9A
On Resistance Rds(on)0.0029ohm
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation Pd65.8W
Power Dissipation65.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0029ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
65.8W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
111.9A
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
Power Dissipation
65.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISS61DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit