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SISS61DN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -20V, -111.9A, 150DEG C
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS61DN-T1-GE3
Code Commande02AH2522
Gamme de produitTrenchFET Gen III
Fiche technique
36 083 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,090 $ |
| 10+ | 1,480 $ |
| 25+ | 1,350 $ |
| 50+ | 1,220 $ |
| 100+ | 1,100 $ |
| 250+ | 1,000 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,09 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS61DN-T1-GE3
Code Commande02AH2522
Gamme de produitTrenchFET Gen III
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id111.9A
Drain Source On State Resistance3500µohm
On Resistance Rds(on)0.0029ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation65.8W
Power Dissipation Pd65.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
65.8W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
111.9A
On Resistance Rds(on)
0.0029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
Power Dissipation Pd
65.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISS61DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits