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IMSQ120R040M2HHXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 57 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, HDSOP
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMSQ120R040M2HHXUMA1
Code Commande27AM0106
Gamme de produitCoolSiC Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 22,170 $ |
| 10+ | 15,770 $ |
| 25+ | 15,450 $ |
| 50+ | 15,130 $ |
| 100+ | 14,810 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
22,17 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMSQ120R040M2HHXUMA1
Code Commande27AM0106
Gamme de produitCoolSiC Series
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id57A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins16Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation290W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
57A
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
No. of Pins
16Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
290W
Product Range
CoolSiC Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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