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SPA11N80C3XKSA2
MOSFET, N-CH, 800V, 11A, 34W, TO-220FP
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPA11N80C3XKSA2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande10AH1108
Gamme de produitCoolMOS C3
Votre numéro de pièce
279 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,570 $ |
| 10+ | 3,850 $ |
| 100+ | 2,870 $ |
| 500+ | 2,450 $ |
| 1000+ | 2,410 $ |
| 2500+ | 2,350 $ |
| 5000+ | 2,310 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,57 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPA11N80C3XKSA2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande10AH1108
Gamme de produitCoolMOS C3
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.39ohm
On Resistance Rds(on)0.39ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation34W
Power Dissipation Pd34W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C3
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.39ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
34W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C3
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.39ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
34W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SPA11N80C3XKSA2
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit