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NX2301P,215
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNX2301P,215Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK7648
Mise en bobine55T6935RL
Bandes découpées55T6935
Votre numéro de pièce
8 484 En Stock
8 484 disponibles sur {packagingType}
5 990 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,852 $ | 0,85 $ |
| Total Prix | 0,85 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,852 $ |
| 50+ | 0,527 $ |
| 100+ | 0,338 $ |
| 250+ | 0,297 $ |
| 500+ | 0,256 $ |
| 1000+ | 0,230 $ |
| 2500+ | 0,226 $ |
| 5000+ | 0,222 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,205 $ |
| 6000+ | 0,192 $ |
| 12000+ | 0,181 $ |
| 18000+ | 0,169 $ |
| 30000+ | 0,154 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNX2301P,215Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK7648
Mise en bobine55T6935RL
Bandes découpées55T6935
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd400mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max750mV
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NX2301P is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- 1.8V RDSon rated for Low Voltage Gate Drive
- Very Fast Switching
- AEC-Q101 Qualified
Applications
Audio, Signal Processing, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
400mW
Gate Source Threshold Voltage Max
750mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (4)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit