Imprimer la page
PMV30UN2R
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TO-236AB, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV30UN2RCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine43AC0277RL
Bandes découpées43AC0277
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,624 $ | 3,12 $ |
| Total Prix | 3,12 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,624 $ |
| 15+ | 0,400 $ |
| 25+ | 0,392 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV30UN2RCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine43AC0277RL
Bandes découpées43AC0277
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.4A
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd490mW
Gate Source Threshold Voltage Max650mV
Power Dissipation490mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The PMV30UN2 is a N-channel enhancement mode Field-effect Transistor (FET) in a small surface-mounted device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Enhanced power dissipation capability of 1000mW.
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- 0.9A Source current
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
650mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.4A
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
490mW
Power Dissipation
490mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour PMV30UN2R
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit