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SCTWA90N65G2V
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTWA90N65G2VCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande36AJ4505
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 41,800 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
41,80 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTWA90N65G2VCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande36AJ4505
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id119A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.018ohm
On Resistance Rds(on)0.018ohm
Transistor Case StyleHiP247LL
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation565W
Power Dissipation Pd565W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.018ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Power Dissipation Pd
565W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
119A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Case Style
HiP247LL
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
565W
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit